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ST第二代MDmesh高压功率MOSFET技术

发布时间:2020-07-21 18:23:12 阅读: 来源:落地镜厂家

MDmeshII降低通态电阻高达40%,提高设计效率及系统可靠性,大幅度降低成本

本文引用地址:中国,2005年6月9日–世界功率器件的领导厂商之一的意法半导体(纽约证券交易所:STM),日前推出了第一批采用该公司独有的MDmeshTM高压功率MOSFET第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源(SMPS)、功率因数校正器(PFC)和电源适配器。与第一代Mdmesh产品相比,新一代产品的效率明显提升,在新的电源转换器设计中,能够大幅度降低成本,提高系统可靠性。 ST的MDmesh(多重漏极网格)工艺的出色性能源自一个创新的漏极结构,漏极是由隔离物组成的阵列结构,纵向的p-型漏极条作为漏极体的延伸,沿很薄的水平n-型源极条排列。除极低的通态电阻外,这种漏极结构还创造了优异的dV/dt特性和抗雪崩特性。作为第二代MDmesh技术,MDmeshII进一步改进了p-型漏极阵列,通态电阻RDS(ON)比上一代产品降低多达40%,而且没有牺牲对其温度关系的严格控制。同时,通过对栅极指和覆盖式水平源极条氧化层的优化,确保内部栅电阻和固有电容都得到精确的控制。 除通态功耗大幅度降低外,新器件的开关功耗也很低。因栅极内部电阻得到控制,时间延迟缩短,从而使开关速度更快,达到新的高效开关电源的设计需求。此外,由于栅极固有电容被严格控制,交叉时间缩短和栅电荷减少得到保证,通过更加简单和更加低廉的栅极驱动电路,可以大幅度提高开关电源的效率。例如,在一个基于L4981的300W功率因数校正器上进行测试时,新产品STP25NM60N在230Vac时的效率高达98%,输出功率达到250W。新的MDmeshMOSFET系列产品可在高工作频率下提高效率,而且温度较低,所以,允许使用尺寸更小的磁器件和散热器,从而达到大幅降低设备尺寸的目的。 第二代MDmesh技术的另一个优点是,驱动器件的电压VGS变得更低,而电流处理能力变得更高。VGS电压范围被修改,驱动功能得到优化,噪声抑制能力增强,阈压范围保持不变。而且,新一代MDmesh技术支持更严格的RDS(ON)通态电阻要求,反过来,新的需求允许使用尺寸更小的封装。 首批上市的新产品系列包括分别采用TO-247、TO-220、TO-220FP和D2PAK/I2PAK封装的500V、140mΩ的STW25NM50N、STP25NM50N、STF25NM50N和STB25NM50NT4/-1;分别采用DPAK,TO-220,TO-220FP和D2PAK封装的500V,380mΩ的STD12NM50NT4、STP12NM50N、STF12NM50N、STB12NM50NT4;分别采用TO-247,TO-220,TO-220FP和D2PAK/I2PAK封装的600V,170mΩ的STW25NM60N,STP25NM60N,STF25NM60N,STB25NM60NT4/-1。这些元器件适用于90W到1000W的各种电源应用。

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